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本文研究了硅表面微机械加工薄膜的形成工艺及技术。通过调整各种薄膜生长、掺杂以及退火的条件，得到了较低的薄膜残余应力（ＬＰＣＶＤ多晶硅膜３０ＭＰａ压应力，ＬＰＣＶＤ富硅氮化硅帮ＰＥＣＶＤ氮化硅膜约１００ＭＰａ张应力，Ａｌ膜在３０ＭＰａ范围内由压应力到张应力变化）。另外，采用了复合膜和纹膜技术，用于大幅度地降低薄膜应力，取得了预计的结果。