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采用全息干涉技术对半导体功率器件通电运行中的热变形进行了研究,测量了器件的离面位移分布及其弯曲挠度.通过改变功率数值或对样品的装配务件,探索功率、工作条件、夹持应力等因素对器件及芯片区域变形产生的影响;对器件的变形模式及其现象的因果关系进行了分析和讨论.
半导体功率器件热膨胀特性的全息干涉测试
【摘 要】
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采用全息干涉技术对半导体功率器件通电运行中的热变形进行了研究,测量了器件的离面位移分布及其弯曲挠度.通过改变功率数值或对样品的装配务件,探索功率、工作条件、夹持应
【机 构】
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首都师范大学物理系
【出 处】
：
微电子学
【发表日期】
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2001年6期
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