【摘 要】
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采用射频磁控溅射系统,在Si（111）衬底上制备了不同溅射功率下的Mg2Si薄膜。通过X线衍射（XRD）和冷场发射电子显微镜镜（FESEM）对Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,理论分析了
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采用射频磁控溅射系统,在Si（111）衬底上制备了不同溅射功率下的Mg2Si薄膜。通过X线衍射（XRD）和冷场发射电子显微镜镜（FESEM）对Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,理论分析了Mg2Si薄膜在Si（111）衬底上的外延生长关系,得到了Mg2Si薄膜的外延生长特性。研究结果表明,在80～110 W的溅射功率范围内,Mg2Si薄膜具有Mg2Si（220）的外延择优生长特性,并且随着溅射功率的增加Mg2Si（220）衍射峰先增强后变弱,在100W功率下Mg2Si（220）衍射峰最强。
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