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几十年来，MOS器件一直遵循摩尔定律不断发展，对于缩小到纳米尺度的MOS器件，量子效应更加突出。研究纳米尺度MOS器件的物理问题，以及适用于纳米MOS器件的设计已成为当前微电子领域重要研究内容。本文简要介绍和评述了纳米MOS器件的设计模型．并对基于非平衡态格林函数以及薛定谔方程和泊松方程自洽解的器件模型应用进行了举例说明。