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用一种简练的异质结双极晶体管(HBT)模型来模拟SiC基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在27℃(300K)到600℃(873K)下的6H-SiC/3C-SiCHBT。将其高频大功率特性与AlGaAs/GaAsHBT作了比较。不出所料,欧姆接触电阻限制了SiCHBT的高频性能,现在看来,在SiC上只能可靠地产生1×10^-4Ω-cm^-2的接触电阻,所以fT和fmax的最高实际值仅