Enhanced deposition of Zn O films by Li doping using radio frequency reactive magnetron sputtering

来源 :矿物冶金与材料学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pww030

【摘要】

：

Radio frequency(RF) reactive magnetron sputtering was utilized to deposit Li-doped and undoped zinc oxide(Zn O) films on silicon wafers. Various Ar/O2 gas ratio

【作者】

：

Liang-xian Chen Sheng Liu Chen

【机构】

：

InstituteforAdvancedMaterialsandTechnology,SchoolofElectricalandComputerEngineering

【出处】

：

矿物冶金与材料学报：英文版

【发表日期】

：

2015年10期

【关键词】

：

ZINC oxide THIN FILMS DOPING DEPOSITION MAGNETRON zinc oxide thin films doping d

【基金项目】

：

financially supported by the National Natural Science Foundation of China(No.51272024),the China Postdoctoral Science Foundation(No.2014M560042)

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Radio frequency(RF) reactive magnetron sputtering was utilized to deposit Li-doped and undoped zinc oxide(Zn O) films on silicon wafers. Various Ar/O2 gas ratios by volume and sputtering powers were selected for each deposition process. The results demons

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