【摘 要】
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通过测量平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管闭管扩散器件帽层InP中Zn杂质的分布,拟合出掺杂浓度随扩散深度的变化函数,并且利用离化积分研究不同倍增层厚度下的最佳刻蚀坑深度
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,中国科学院大学电子电气与通信工程学院,中国电子科技集团公司第四十四研究所化合物半导体光电子事业部
【基金项目】
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国家重点研发计划（No.2016YFB0402404）, 国家自然科学基金（Nos.61674136,61635010,61435002）资助
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通过测量平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管闭管扩散器件帽层InP中Zn杂质的分布,拟合出掺杂浓度随扩散深度的变化函数,并且利用离化积分研究不同倍增层厚度下的最佳刻蚀坑深度和最佳刻蚀方法.结果表明在帽层深度不变的情况下,最佳刻蚀坑深度会随着倍增层厚度而变化,当倍增层厚度为1μm左右时刻蚀坑深度在0.1-0.3μm之间.采取反应离子刻蚀可以获得良好的刻蚀坑形貌,有利于边缘击穿的抑制.
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