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作为测试小管芯，所研制的小栅宽（0．5mm）L波段SiCSIT器件，台面和栅凹槽线宽分别为1．0μm和1．5pm，源间距2．5μm，采用凹栅结构、Al注入形成PN结等优化手段，提高了器件的击穿特性和微波特性。0．5ram栅宽SiCSIT器件，输出功率通过负载牵引系统进行测试，在1．2GHzCW、50V工作电压下测量的输出功率密度达到7．55W／cm，功率增益在7．3dB；在1．4GHzCW、50V工作电压下测量的输出功率率密度达到了4．4W／cm，功率增益在5．76dB。