【摘 要】
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通过大剂量氧离子注入(150key,2×10~(18)O~+/cm~2)及高温退火(1100℃,8h)便可形成质量较好的SIMOX结构。本文报道了制备在硅膜厚度为160nm的SIMOX结构上的短沟道CMOS/SIMOX
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,陕西微电子学研究所,北京师范大学低能核物理研究所,陕西微电子学研究所
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通过大剂量氧离子注入(150key,2×10~(18)O~+/cm~2)及高温退火(1100℃,8h)便可形成质量较好的SIMOX结构。本文报道了制备在硅膜厚度为160nm的SIMOX结构上的短沟道CMOS/SIMOX电路特性。实验结果表明:薄硅膜器件有抑制短沟道效应(如阈值电压下降)、改善电路的速度性能等优点,因而薄硅膜SIMOX技术更适合亚微米CMOS IC的发展。
The SIMOX structure with good quality can be formed by high dose oxygen ion implantation (150key, 2 × 10 ~ (18) O ~ + / cm ~ 2) and high temperature annealing (1100 ℃, 8h) This paper reports the characteristics of short-channel CMOS / SIMOX circuits fabricated on a SIMOX structure with a silicon film thickness of 160 nm. The experimental results show that the thin silicon film SIMOX technology is more suitable for the development of submicron CMOS IC because of its advantages of suppressing short-channel effect (such as threshold voltage drop) and improving the speed performance of the circuit.
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