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本文基于TSMC65nm工艺,并利用Sentaurus TCAD软件建立模型并研究NMOS和PMOS在电荷共享中电荷收集的物理机理,通过不同工艺条件、版图布局以及阱接触面积来观察电荷共享变化情况.最后,将研究SRAM基本单元的翻转再恢复效应,并证明电荷共享是导致其翻转再恢复的原因,并研究了P+深阱浓度对SRAM单元翻转再恢复的影响.