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综述了单晶硅的主要技术参数和生产工艺.IC行业下游单晶硅利用率逐年提高,而依赖硅的电子工业也逐年加深,单晶硅生产要求,因此热工设计要求更加严格.设计优良的热场可以优化炉膛内温度的分布,因此在CZ水晶炉中,将逐渐应用特殊的热场元件,以促进硅单晶生长技术的发展.重点从技术原理、成分原理、氧浓度控制等方面分析了直接拉拔法.