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热载流子是器件可靠性研究的热点之一。特别对于亚微米器件，热载流子失效是器件失效的一个最主要方面。通过对这种失效机理及其失效模型的研究，为设计和工艺提供帮助，从而有效降低由热载流子引起的电路失效，提高电路可靠性。本文主要针对几种典型工艺的栅氧厚度（例如：Tox分别为150A、200A、250A）的NMOSFET进行加速应力实验，提取寿命模型的相关参数，估算这些器件在正常工作条件下的寿命值，对亚微米工艺器件寿命进行快速评价。