【摘 要】
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随着极大规模集成电路(GLSI)技术节点逐渐降低至28 nm,多层铜布线化学机械抛光过程中弱碱性抛光液的稳定性成为人们研究的热点。以四乙基氢氧化铵作为pH调节剂,配制不同pH值
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院; 天津市电子材料与器件重点实验室;
【基金项目】
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国家科技重大专项子课题资助项目(2016ZX02301003-004-007);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北省专业学位教学案例基金资助项目(KCJSZ2017008)
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随着极大规模集成电路(GLSI)技术节点逐渐降低至28 nm,多层铜布线化学机械抛光过程中弱碱性抛光液的稳定性成为人们研究的热点。以四乙基氢氧化铵作为pH调节剂,配制不同pH值的新型弱碱性抛光液,研究各组抛光液的pH值、粒径、Zeta电位以及铜去除速率、表面粗糙度和去除速率一致性随存放时间(0,12,24,36和48 h)的变化,并与KOH作为pH调节剂的抛光液进行了对比。结果表明,pH值、粒径、Zeta电位在存放时间内基本不变。pH值大于10时平坦化效果较差,pH值为9.0时,平坦化效果较好,0和48 h铜去除速率为530 nm/min和493.1 nm/min,抛光后铜表面粗糙度为0.718和0.855 nm,铜去除速率一致性为4.31%和4.54%,该抛光液加入双氧水后可以稳定存放48 h以上,可满足工业生产的要求。
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