【摘 要】
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报道了采用ＣｕＴＣＮＱ有机分子薄膜制作器件的尝试。在厚度为１００ｎｍ的铜膜上，利用液相自蚀生长法制备得到ＣｕＴＣＮＱ有机薄膜。不同生长温度及时间下，生长薄膜的形态结构不同，这表明时间和温度是影响ＣｕＴＣＮＱ生长的
【机 构】
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南京电子器件研究所,东南大学生物科学与医学工程系
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报道了采用ＣｕＴＣＮＱ有机分子薄膜制作器件的尝试。在厚度为１００ｎｍ的铜膜上，利用液相自蚀生长法制备得到ＣｕＴＣＮＱ有机薄膜。不同生长温度及时间下，生长薄膜的形态结构不同，这表明时间和温度是影响ＣｕＴＣＮＱ生长的重要因素。采用半导体器件平面制作工艺，制备出了金属－ＣｕＴＣＮＱ－金属结构的二端器件，并进行了器件电学特性的测量，发现这种结构的ＣｕＴＣＮＱ器件存在明显的整流特性。
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