PCVD在狭缝内壁沉积Ti-Si-N薄膜的研究

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tobydu

【摘要】

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用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)设备在狭缝的侧壁上沉积Ti-Si-N薄膜.经微观物相分析发现,在狭缝的侧壁上随着测试深度的增加,薄膜中Ti元素逐渐减少,Si含量增加,薄

【作者】

：

马青松马胜利徐可为

【机构】

：

西安交通大学金属材料强度国家重点实验室

【出处】

：

真空科学与技术学报

【发表日期】

：

2004年4期

【关键词】

：

薄膜厚度狭缝等离子体辅助化学脉冲沉积物相分析元素 PCVD 显微硬度仪相组成 PCVD Ti-Si-N Complex-shaped surfac

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用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)设备在狭缝的侧壁上沉积Ti-Si-N薄膜.经微观物相分析发现,在狭缝的侧壁上随着测试深度的增加,薄膜中Ti元素逐渐减少,Si含量增加,薄膜的相组成始终为nc-TiN/Si3N4.利用球痕法测定了各深度处薄膜的厚度,显微硬度仪测试了侧壁上深度不同位置处薄膜显微硬度.实验结果表明,随测试深度增加,薄膜厚度和显微硬度下降.

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