【摘 要】
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用固相合成、共沉淀等方法合成了Cr4+,Nd3+:GGG晶体的单相多晶材料.讨论了共沉淀法和固相合成法合成GGG单相的技术参数.用合成的单相多晶原料生长了高质量的Cr4+,Nd3+:GGG单
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用固相合成、共沉淀等方法合成了Cr4+,Nd3+:GGG晶体的单相多晶材料.讨论了共沉淀法和固相合成法合成GGG单相的技术参数.用合成的单相多晶原料生长了高质量的Cr4+,Nd3+:GGG单晶.通过测晶体的光谱性质发现:Cr4+,Nd3+:GGG晶体在400nm和520nm附近存在Cr3+离子的强的吸收峰.在808nm附近存在Nd3+离子宽的吸收带,能与InGa二极管激光有效的耦合;在1100附近有Cr4+的较强的吸收带,可实现对Nd3+的自调Q输出.Cr4+,Nd3+:GGG晶体的荧光光谱与Nd:GGG
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