【摘 要】
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利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了 InxGa1- xN/GaN应变量子点中的激子结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律.结果
【机 构】
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三明学院应用物理系,河南师范大学物理系
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利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了 InxGa1- xN/GaN应变量子点中的激子结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律.结果表明,随着量子点高度L和半径R的增加,结合能降低,随着量子点中In含量的增加,激子的结合能增大.对给定体积的量子点,激子结合能存在一最大值,此时电子、空穴被最有效的约束在量子点内.对不同体积的量子点,最大值的位置在量子点高度 L=1.7 nm附近取得.
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