【摘 要】
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对辐照加固的部分耗尽（Partially Depleted）SOI 8位微控制器（MCU）的总剂量辐照特性进行研究。该微控制器功能完全兼容intel MCS-51系列的80C51微控制器,采用1.2μm辐照加固的PDSO
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京中科微电子技术有限公司
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对辐照加固的部分耗尽（Partially Depleted）SOI 8位微控制器（MCU）的总剂量辐照特性进行研究。该微控制器功能完全兼容intel MCS-51系列的80C51微控制器,采用1.2μm辐照加固的PDSOI CMOS工艺技术制备,芯片尺寸约为6.4mm×6.8mm。对该微控制器及同工艺条件下的MOSFET进行Co^60辐照试验表明,在工作电压5V下,其总剂量加固水平高达1×10^6rad（Si）,完全满足航空航天领域应用的要求。
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