辐照加固相关论文
低压差线性稳压器(Low-Dropout regulators,LDO)具有低功耗、低噪声、结构简单等特点,已广泛应用于航天领域。因而,要求LDO能够在......
高能物理实验是研究高能碰撞粒子特性的基础性实验,其实验中的强辐射环境和每秒千万次的粒子碰撞所带来的海量数据信息给探测器前......
MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I-V技术分离氧化物陷......
本文首先利用实验结果分析了54HC04的阈值电压在不同剂量率下随总剂量的变化关系,对若干种加速实验方法作了比较,认为采用10keV X......
总剂量辐照下,存储单元和MOS管阈值电压均会发生漂移,引起灵敏放大器性能退化.基于0.6μmSOI工艺,设计了一种用于SONOSEEPROM存储......
为了找到并纠正抗辐射晶体管3DK9DRH贮存失效的原因，利用外部检查、电性能测试、检漏、内部水汽检测、开封检查等试验完成了对晶体......
设计了一种带自刷新功能的寄存器,该寄存器采用两级数据锁存结构,在第二级锁存结构中设计了一个选择电路。该选择电路采用三选二机......
<正> Ⅴ 加固双极数字逻辑电路设计 A.引言 MOS和双极性器件的本质差别使其对电离辐照的响应不同。双极器件中绝缘-半导体界面不是......
本文叙述了辐照加固集成电路在军事武器及航天设备中的意义，重点介绍了已有的辐照加固集成电路，如微处理器系列电路、数字电路、接口......
频率综合器（Frequency Synthesizer,FS）是航天电子通信系统的重要组成部件,暴露在辐射环境中的频率综合器在单粒子瞬变（Single Event ......
基于双互锁存储单元(DICE)结构,采用TSMC 0.18μm体硅CMOS工艺,设计了一个带复位和清零端的主-从型抗辐照触发器。通过将数据存放......
随着集成电路在航空航天的应用,半导体器件和电路的总剂量辐照效应越来越受到关注。器件尺寸进入到纳米级后,器件的总剂量辐照效应......
SOI (Silicon On Insulator)即绝缘体上的硅,是一种新型的硅基材料。用SOI材料制作的器件与电路相对于传统的体硅器件及电路而言,......
为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中......
对辐照加固的部分耗尽(Partially Depleted)SOI 8位微控制器(MCU)的总剂量辐照特性进行研究。该微控制器功能完全兼容intel MCS-51......
采用能量为1 Me V的电子对几种不同结构的Al Ga N/Ga N HEMT器件进行了最高注量为8.575×1014cm-2的辐照。实验发现:电子辐照后,最......
文章分析了电子元器件在空间辐照影响下的一些性能变化，考虑实际使用环境，设计了一种辐照加固的航空总线收发器电路。该电路主要实现......
