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提出了一种新的器件结构——非对称Halo LDD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称Halo LDD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称LDD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析.