【摘 要】
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本文提出了一种新的掺杂方法:分子层掺杂(MLD)。它的机理是表面化学吸附掺杂气体的溶解物。以B_2H_6作掺杂气体按MLD工艺成功地获得了超浅掺硼层。所形成的p+n结特性理想,即
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本文提出了一种新的掺杂方法:分子层掺杂(MLD)。它的机理是表面化学吸附掺杂气体的溶解物。以B_2H_6作掺杂气体按MLD工艺成功地获得了超浅掺硼层。所形成的p+n结特性理想,即在5V反问偏置下,漏电流小于2.5×10~(-16)A/μm~2。MLD法是快速提供高浓度、浅结、无损伤、选择掺杂的颇具吸引力的方法。
This paper presents a new doping method: molecular doping (MLD). Its mechanism is that the surface chemically adsorbs the dissolved gas of the doping gas. Using B_2H_6 as dopant gas, ultra-shallow boron-doped layer was successfully obtained by MLD process. The formed p + n junction has the ideal characteristic that the leakage current is less than 2.5 × 10 ~ (-16) A / μm ~ 2 under 5V back bias. The MLD method is an attractive method for rapidly providing high concentration, shallow junction, no damage, and selective doping.
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