【摘 要】
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因为半导体碲化镉和半金属碲化汞是可掺混的,因此生长出的碲镉汞单晶晶锭的本征能隙的光谱范围可在0.8到15微米。采用这种材料作为相干激光和热辐射探测的高性能本征光电探测
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因为半导体碲化镉和半金属碲化汞是可掺混的,因此生长出的碲镉汞单晶晶锭的本征能隙的光谱范围可在0.8到15微米。采用这种材料作为相干激光和热辐射探测的高性能本征光电探测器是最为理想的。例如,已用（Hg,Cd）Te 制成1～3μ范围的室温高速光电二极管;已用CO2激光器证实了在78°K（Hg,Cd）Te外差探测器的最小可探测功率接近理论极限,以及已制造出在77°K 工作的8～15μ范围的高性能辐射探测器。
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