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采用室温下微区Raman散射方法，观测到了GaInP2的LO双模行为和禁戒的TO模，由于晶格有序导致晶体对称性从Td降低为C3v，从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了由晶格无序激活的DALA模。在有序样品中，除观测到了二级Raman散射峰LO1+LO2以外，还观测到了由超晶格效应所导致的FLA折叠模和LO模的分裂。对LO模峰谷比b/a的分析表明，随着晶格有序度的增加，b/a值减小。这是因为：一方面主要是由于禁戒的TO模变为Raman活性所引起的，另一方面，还可能有LO1模和LO2