【摘 要】
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掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注.我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方
【机 构】
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北京师范大学分析测试中心,北京师范大学低能核物理研究所
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掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注.我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜.Raman和XPS分析表明Ta-C:N薄膜中的N主要以C=N的方式与C结合.N2分压越大,N/C原子比越高,最高可达31.1%.但同时sp3键含量越低,并且合成Ta-C:N薄膜的速度越慢.
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