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本文报道了SiH4/C2H4体系激光合成SiC超细粉研究及对合成的SiC超细粉进行的TEM(TED)、XRD、FTIR、XPS及Raman散射等测试分析。在部分样品中发现了SiC空心颗粒,讨论了SiC超细粉的成核成长规律,得出了一些有价值的新结果:SiC超细粉的合成由Si成核生长和碳化组成;反应温度较高时,为获得接近化学计量化的SiC超细粉,要求有较高的源气C/Si比,并且高的C/Si比有利于降低