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根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种制作ＩＧＢＴ的工艺方法－三重扩散法，并着重用器件模拟的方法，从理论上分析和证实了三重扩散法在高压ＩＧＢＴ器件制作上的优点和可行性，并用实验结果证其正确性。
生产IGBT的一种工艺—三重扩散
【摘 要】
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根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种制作ＩＧＢＴ的工艺方法－三重扩散法，并着重用器件模拟的方法，从理论上分析和证实了三重扩散法在高压ＩＧＢＴ器件制作上的优点和可行性，并用实验结果
【机 构】
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浙江大学功率器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1996年1期
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