【摘 要】
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利用半固态触变成形工艺制备高硅铝电子封装盒体,分析盒体中Si相的分布特征.采用金相显微镜和扫描电镜观察盒体不同部位的显微组织,并测定其热物理性能及力学性能.结果表明,A
【机 构】
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北京科技大学材料科学与工程学院,北华航天工业学院材料系
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利用半固态触变成形工艺制备高硅铝电子封装盒体,分析盒体中Si相的分布特征.采用金相显微镜和扫描电镜观察盒体不同部位的显微组织,并测定其热物理性能及力学性能.结果表明,Al-25％Si(质量分数)合金在半固态触变成形中Si相和液相产生分离流动,液相从盒体中流出,Si相在盒体中聚集,其体积分数从盒体底面向四壁逐渐降低.盒体底面中心和四壁的热导率分别为107.6和131.5W/(m.K),热膨胀系数分别为7.9×10-6和10.6×10-6 K,抗弯强度由167MPa缓慢增加至180MPa.组织和性能呈现梯度变化.
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