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首先介绍了体硅ＭＯＳ器件在２５～３００℃范围高温特性的实测结果和分析，进而给出了薄ＳＯＩ ＭＯＳ器件在上述温度范围的高温特性模拟结果和分析，最后介绍了国际有关报道的ＳｉＣ ＭＯＳ器件在２２～４５０℃范围的高温特性。在上述研究的基础上，提出了体硅、ＳＯＩ和ＳｉＣ ＭＯＳ器件各自所适用的温度范围和应用前景。