【摘 要】
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为了揭示硅片自旋转磨削加工表面层损伤机理,采用透射电子显微镜对硅片磨削表面层损伤特性进行了分析.结果表明：粗磨Si片的损伤层中有大量微裂纹和高密度位错;半精磨和精磨Si
【机 构】
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郑州大学机械工程学院,大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室
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为了揭示硅片自旋转磨削加工表面层损伤机理,采用透射电子显微镜对硅片磨削表面层损伤特性进行了分析.结果表明：粗磨Si片的损伤层中有大量微裂纹和高密度位错;半精磨和精磨Si片的损伤层中除了微裂纹和位错外,还存在非晶硅和多晶硅（Si-I相和Si-III相）.从粗磨到半精磨,Si片的非晶层厚度从约0nm增大到约110nm;从半精磨到精磨,Si片的非晶层厚度由约110nm减小至约30nm,且非晶层厚度的分布均匀性提高.从粗磨到精磨,Si片损伤深度、微裂纹深度及位错滑移深度逐渐减小,材料的去除方式由脆性断裂方式逐渐向
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