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FLASH在擦操作的过程中，带带隧穿产生的空穴注入将会在SiO2/SiO2界面和氧化层中产生带电中心（包括界面态和陷阱），影响电路的可靠性。利用电荷泵方法，通过应力前后电荷泵电流的改变确定出界面态和陷阱电荷的空间分布，为FLASH单元设计与改进可靠性，提供了理论和实验基础。
电荷泵法研究FLASH擦工作时带带隧穿引起的界面损伤
【摘 要】
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FLASH在擦操作的过程中，带带隧穿产生的空穴注入将会在SiO2/SiO2界面和氧化层中产生带电中心（包括界面态和陷阱），影响电路的可靠性。利用电荷泵方法，通过应力前后电荷泵电流的改变
【机 构】
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清华大学微电子所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年1期
【基金项目】
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国家九五科技攻关项目&&
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