长波HgCdTe光电二极管：n^＋在p上面的结构与p在n上面的结构的比较（下）

来源 :红外 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Horus_Ra

【摘要】

：

3.n+在p上和p在n上的光电二极管结构的比较让我们设想一种典型的高质量n+在p上（或p在n上）的HgCdTe光电二极管结构（见图1）,这种光电二极管结构可以用现代的

【作者】

：

Rogal. A 高国龙

【机构】

：

波兰华沙军事理工大学技术物理学院

【出处】

：

红外

【发表日期】

：

1996年6期

【关键词】

：

HGCDTE 光电二极管 PN结

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3.n+在p上和p在n上的光电二极管结构的比较让我们设想一种典型的高质量n+在p上（或p在n上）的HgCdTe光电二极管结构（见图1）,这种光电二极管结构可以用现代的外延生长技术（液相外延、分子束外延或者金属有机化学汽相淀积）制备。在这种光电二极管中,p（n）型基层的合成载流子浓度约为5×1015{(5×1014</sup

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