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采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In预制膜，并采用固态源蒸发硫化方法制备CuInS2薄膜。考察了硫源温度对CuInS2薄膜性能的影响。采用扫描电镜（SEM）和x射线能量色散谱仪（EDs）分别观察了薄膜的表面形貌和分析了薄膜的成分，采用x射线衍射（XRD）表征了薄膜的组织结构。结果表明，在硫源温度处于280℃到360℃范围之内时，制备的CuInS2薄膜都具有单一的黄铜矿型结构，颗粒均匀，晶粒大小约为1μm。