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氮化铝薄膜取向性直接影响到薄膜的压电特性和声波速度,是薄膜体声波谐振器/滤波器工艺过程中最重要的环节之一。对AlN薄膜材料的反应磁控溅射沉积工艺进行了研究,通过对AlN薄膜的取向性分析及其与工艺条件的比较,优化了取向性AlN薄膜的生长工艺条件,制备出了高取向和高致密的AlN薄膜。
磁控溅射氮化铝薄膜取向生长工艺研究
【摘 要】
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氮化铝薄膜取向性直接影响到薄膜的压电特性和声波速度,是薄膜体声波谐振器/滤波器工艺过程中最重要的环节之一。对AlN薄膜材料的反应磁控溅射沉积工艺进行了研究,通过对AlN
【机 构】
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武汉理工大学理学院; 湖北大学铁电压电材料重点实验室;
【出 处】
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武汉理工大学学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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武汉理工大学校基金(XJJ2004112)
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