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用扫描电镜(SEM)的背散射电子图象(BEI)法,可以观察到橄榄石上经氧化缀饰的位错。在背散射电子图象中,缀饰的位错(和颗粒边界)因其影象清晰明亮而易辨认,这说明靠近位错核心(和颗粒边界)的组成比周围平均原子量有所增高,这种观察位错的方法具有～0.1μm的分辨率,比用化学显微镜观察结果约高一个数量级,它专门用于研究具有相当高位错密度的天然和实验形变的橄榄石中的全部位错分布,