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Research on the photoluminescence of spectral broadening by rapid thermal annealing on InAs/GaAs qua

来源 :半导体学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ll05

【摘 要】

：

Photoluminescence (PL) test was conducted to investigate the effect of rapid thermal annealing (RTA) on the opticalperformance of self-assembled InAs/GaAs quant

【作 者】

：

Dandan Ning Yanan Chen Xinkun 

【机 构】

：

InstituteofAtomicandMolecularScience,KeyLaboratoryofSemiconductorMaterialsScienceandBeijingKeyLabora

【出 处】

：

半导体学报:英文版

【发表日期】

：

2020年12期

【关键词】

：

quantum dots rapid thermal annealing PHOTOLUMINESCENCE spectral width 

【基金项目】

：

This work was supported by the National Key Research and Development Program of China(Grant No.2016YFB0402404),the National Natural Science Foundation of China(Grant No.21972103),Key Research and Deve

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Photoluminescence (PL) test was conducted to investigate the effect of rapid thermal annealing (RTA) on the opticalperformance of self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs) at the temperatures of 16 and 300 K. It was found that after RTAtreatment, the PL

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