如何培养小学生的逻辑能力

来源 :中外交流 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hwangh
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
数学是小数教学的一门重要课程,对学生而言尤为重要,对学生的整个初级阶段的学习起着决定性的作用.数学教学不单是要教会学生数学理论知识,更重视的是学生逻辑思维能力的全面发展,但现在在小学教学中并没有引起老师的热切重视,老师更多的是以传授课本知识为主,辅之习题来增强学生的知识巩固,注重的是学习成绩的提高,没有看清问题的基本所在.对此,从现在开始必须引起教育部和老师们的关注,改变教学模式,注重学生的逻辑思维能力的培养.
其他文献
  基于自主开发的SOI高低压兼容工艺,研究了低压NMOS和PMOS器件的ESD特性,分析了器件发生击穿和骤回的物理机制。结合理论分析和流片后的TLP测试结果,发现NMOS和PMOS器件的ESD
影响透镜成像的因素很多,本文在其他因素不变的情况下,主要分析和研究空气中透镜球面曲率半径对成像的影响。分别利用不同曲率半径代入厚透镜成像公式和薄透镜成像公式进行理论
  主要介绍了纳米MOSFET器件微波射频建模和参数提取技术的最新研究进展。建模技术主要包括小信号等效电路模型和噪声模型,参数提取技术主要包括寄生元件,本征元件和噪声参数
  研究了在低温下锗硅HBT器件的直流特性变化特点。与硅器件相比,锗硅器件在低温下具有性能优势,即直流增益在低温下不降反升。大注入下,会存在异质结势垒效应,从而导致Ic的增
  针对当前微加速度计系统机电联合仿真模型不够精确,参数提取过程复杂等特点,根据运动学理论,结合SOI器件层应力梯度分析,提出了基于SOI技术的微加速度计Simulink机电一体化仿
  在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上,通过求解泊松方程,建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型,其模型计算值与实验结果吻合。模拟分析表明,当Ge沟道长度
  用统计实验研究了从SILC到SBD、HBD几个典型的退化阶段中缺陷的势垒高度和缺陷电流的变化。从SILC到SBD、HBD都是由同一种缺陷引起的缺陷带导电所致,它们的缺陷势垒高度和
为了解长沙市保健食品市场现况,我们于1996年6~10月,对该市保健食品市场进行了调查,现将结果报告如下.1内容与方法以该市大型商场(店)副食部及部分食品专店为调查单位,由本站综合卫生
  提出了一种提高高压P型LDMOS隔离能力的方法。通过一步深N型阱和一步浅N型阱来替代传统的单深N型阱工艺和结构,在确保高压PLDMOS器件在垂直方向上的PNP穿通问题与传统结构
信息技术是十分重要的一门学科,是在信息时代的驱动下逐渐衍生出来的一门新课程,负责培养学生的信息素养,使其能够自主利用信息技术处理生活、学习问题,而这就更易于促使学生