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研究了在低温下锗硅HBT器件的直流特性变化特点。与硅器件相比，锗硅器件在低温下具有性能优势，即直流增益在低温下不降反升。大注入下，会存在异质结势垒效应，从而导致Ic的增幅减小，Ib的增幅加大。
锗硅HBT器件的低温直流特性研究
【摘 要】
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研究了在低温下锗硅HBT器件的直流特性变化特点。与硅器件相比，锗硅器件在低温下具有性能优势，即直流增益在低温下不降反升。大注入下，会存在异质结势垒效应，从而导致Ic的增
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,北京 100084
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2011年期
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