【摘 要】
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LV/HV N-Well BCD[B]技术（2）能够实现MOS器件低压5 V与高压100～700 V （或更高）和双极型器件低压5 V与高压30～100 V兼容的BCD工艺。为了便于高低压器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩
【机 构】
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上海贝岭股份有限公司,中国航天电子技术研究院第七七一研究所
【基金项目】
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上海市软件和集成电路产业发展专项基金（2009.090027）
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LV/HV N-Well BCD[B]技术（2）能够实现MOS器件低压5 V与高压100～700 V （或更高）和双极型器件低压5 V与高压30～100 V兼容的BCD工艺。为了便于高低压器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅结构的HV LDMOS器件,并同时形成HV双极型器件。改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓度等可以得到不同的高电压。采用芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。
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