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对于一种基于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的分布式放大器的设计原理做了较为详细的阐述。从增益单元的设计、匹配网络和低噪声特性的改进三个不同的方面,介绍了MOSFET基分布式放大器的研究进展并展望了MOSFET基分布式放大器的发展趋势。
MOSFET基分布式放大器的研究进展
【摘 要】
：
对于一种基于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的分布式放大器的设计原理做了较为详细的阐述。从增益单元的设计、匹配网络和低噪声特性的改进三个不同的方面,介绍了MOSFE
【机 构】
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华东师范大学信息科学技术学院
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2009年3期
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