电容-电压法研究Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN异质结压电极化效应(英文)

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aaajansen
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的数值模拟 ,在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 30nm和 4 5nm的样品中 ,异质界面的极化电荷面密度为 6 78× 1 0 12 cm-2 。在Al0 2 2 Ga0 78N势
其他文献
合成孔径雷达(SAR)技术的不断发展创新,SAR雷达系统在军事、农业、环境监测以及地图测绘等诸多领域都有极高的应用价值。近年来,大带宽SAR雷达系统的应用技术研究已成为当前
随着互联网的飞速发展,大数据作为新兴的技术手段,辅助政府治理,提升政府治理能力。一方面,大数据在促进公共管理科学化、提高社会监管能力、推动治理主体多元化、拓展公共服务范围等方面发挥了积极的作用;另一方面,由于大数据预测的片面性、数据拥有主体的分散性等因素,可能带来误导政府决策、形成信息孤岛、危害公共安全等问题。推动建立大数据战略、整合大数据资源、推动大数据的合理使用,这是应用大数据的主要途径。大数
采用热线风速仪对不同宽高比圆转矩形收敛喷管射流宽、窄对称面上的湍流强度进行了试验研究,得到其沿径向和轴向的分布特征,揭示了流体微团正向脉动变化规律.湍流强度沿径向
本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确.一个InGaN/GaN多量子阱样品的X射线摇摆曲线被测量并且用此新的表达
巴黎有个名叫劳&#183;克利勃的年轻人,能做可口的早点,他在一个人口相对集中、上班族较多的黄金地段开了一个早点店。然而。店面开张后生意并非他想象的那样兴隆。眼看难以为继
制备了基于调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结的Pt/Al0.22Ga0.78N/GaN肖特基二极管.由于Al0.22Ga0.78N势垒层中的极化场不同,不同Al0.22Ga0.78N势垒层厚度的二极管的电容-电压
评述利用MOCVD技术在α-Al2O3衬底上生长GaN薄膜及InGaN/A1GaN双异质结(DH)结构的工艺与特性;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件(温度、气流束源等)对表面形貌
本文从分子聚集体PIC-I的吸收光谱可观测到J-带的红移和窄化,并可算出1 368cm-1振模,以及本实验条件下聚集体单体数目为N≈3链长为3&#215;0.3nm=0.9nm.测量了PIG-1聚集体的荧
活性光合细菌1号株的培养离心得到菌体和上清液两个组分。这两种组分在两个重要离体系统中{牛血清蛋白-亚麻油酸 -Fe^2+(Ⅰ系统)和脑组织匀浆-Fe^2+(Ⅱ系统)}具有明显抗指质过氧