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【摘 要】本文论述了微电子封装技术的发展历程，发展现状和发展趋势，主要介绍了几种重要的微电子封装技术，包括：BGA 封装技术、CSP封装技术、SIP封装技术、3D封装技术、MCM封装技术等。
【关键词】微电子技术；封装；发展趋势
一、微电子封装的发展历程
IC封装的引线和安装类型有很多种，按封装安装到电路板上的方式可分为通孔插入式（TH）和表面安装式（SM），或按引线在封装上的具体排列分为成列、四边引出或面阵排列。微电子封装的发展历程可分为三个阶段：第一阶段：上世纪70 年代以插装型封装为主，70 年代末期发展起来的双列直插封装技术（DIP）。第二阶段：上世纪80 年代早期引入了表面安装（SM）封装。比较成熟的类型有模塑封装的小外形（SO）和PLCC 型封装、模压陶瓷中的Cerquad、层压陶瓷中的无引线式载体（LLCC）和有引线片式载体（LDCC）。PLCC，Cerquad，LLCC和LDCC都是四周排列类封装， 其引线排列在封装的所有四边。第三阶段：上世纪90 年代， 随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI，vLSI，uLSI相继出现， 对集成电路封装要求更加严格，i/o引脚数急剧增加， 功耗也随之增大， 因此， 集成电路封装从四边引线型向平面阵列型发展，出现了球栅阵列封装（BGA），并很快成为主流产品。
二、新型微电子封装技术
（一）焊球阵列封装（BGA）
阵列封装（BGA）是世界上九十年代初发展起来的一种新型封装。BGA封装的i/o端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是：i/o引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
这种BGA的突出的优点：1.电性能更好：BGA用焊球代替引线，引出路径短，减少了引脚延迟、电阻、电容和电感；2.封装密度更高；由于焊球是整个平面排列，因此对于同样面积，引脚数更高。例如边长为31mm的BGA，当焊球节距为1mm时有900只引脚，相比之下，边长为32mm，引脚节距为0.5mm的qfp只有208只引脚；3.BGA的节距为1.5mm、1.27mm、1.0mm、0.8mm、0.65mm和0.5mm，与现有的表面安装工艺和设备完全相容，安装更可靠；4.由于焊料熔化时的表面张力具有 “自对准”效应，避免了传统封装引线变形的损失，大大提高了组装成品率；5.BGA引脚牢固，转运方便；6.焊球引出形式同样适用于多芯片组件和系统封装。因此，BGA得到爆炸性的发展。BGA因基板材料不同而有塑料焊球阵列封装（pBGA），陶瓷焊球阵列封装（cBGA），载带焊球阵列封装（tBGA），带散热器焊球阵列封装（eBGA），金属焊球阵列封装（mBGA），还有倒装芯片焊球阵列封装（fcBGA）。PQFP可应用于表面安装，这是它的主要优点。
（二）芯片尺寸封装（CSP）
CSP（chip scale package）封装，是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP封CSP封装装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于tSOp内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。
芯片尺寸封装（CSP）和BGA是同一时代的产物，是整机小型化、便携化的结果。LSI芯片封装面积小于或等于LSI芯片面积120%的封装称为CSP。由于许多CSP采用BGA的形式，所以最近两年封装界权威人士认为，焊球节距大于等于lmm的为BGA，小于lmm的为CSP。由于CSP具有更突出的优点：1.近似芯片尺寸的超小型封装；2.保护裸芯片；3.电、热性优良；4.封装密度高；5.便于测试和老化；6.便于焊接、安装和修整更换。
一般地CSP，都是将圆片切割成单个IC芯片后再实施后道封装的，而wlCSP则不同，它的全部或大部分工艺步骤是在已完成前工序的硅圆片上完成的，最a后将圆片直接切割成分离的独立器件。CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升。CSP技术是在电子产品的更新换代时提出来的，它的目的是在使用大芯片（芯片功能更多，性能更好，芯片更复杂）替代以前的小芯片时，其封装体占用印刷板的面积保持不变或更小。
wlCSP所涉及的关键技术除了前工序所必须的金属淀积技术、光刻技术、蚀刻技术等以外，还包括重新布线（RDL）技术和凸点制作技术。通常芯片上的引出端焊盘是排到在管芯周边的方形铝层，为了使WLP适应了SMt二级封装较宽的焊盘节距，需将这些焊盘重新分布，使这些焊盘由芯片周边排列改为芯片有源面上阵列排布，这就需要重新布线（RDL）技术。
三、微电子封装技术的发展趋势
微电子封装技术是90年代以来在半导体集成电路技术、混合集成电路技术和表面组装技术（SMt）的基础上发展起来的新一代电子组装技术。多芯片组件（MCM）就是当前微组装技术的代表产品。它将多个集成电路芯片和其他片式元器件组装在一块高密度多层互连基板上，然后封装在外壳内，是电路组件功能实现系统级的基础。CSP的出现解决了KGD问题，CSP不但具有裸芯片的优点，还可象普通芯片一样进行测试老化筛选，使MCM 的成品率才有保证，大大促进了MCM的发展和推广应用。目前MCM已经成功地用于大型通用计算机和超级巨型机中，今后将用于工作站、个人计算机、医用电子设备和汽车电子设备等领域。
四、结束语
从以上介绍可以看出，微电子封装，特别是BGA、CSP、SIP、3D、MCM 等先进封装对SMt的影响是积极的，当前更有利于SMt的发展，将来也会随着基板技术的提高，新工艺、新材料、新技术、新方法的不断出现，促进SMt向更高水平发展。
【关键词】微电子技术；封装；发展趋势
一、微电子封装的发展历程
IC封装的引线和安装类型有很多种，按封装安装到电路板上的方式可分为通孔插入式（TH）和表面安装式（SM），或按引线在封装上的具体排列分为成列、四边引出或面阵排列。微电子封装的发展历程可分为三个阶段：第一阶段：上世纪70 年代以插装型封装为主，70 年代末期发展起来的双列直插封装技术（DIP）。第二阶段：上世纪80 年代早期引入了表面安装（SM）封装。比较成熟的类型有模塑封装的小外形（SO）和PLCC 型封装、模压陶瓷中的Cerquad、层压陶瓷中的无引线式载体（LLCC）和有引线片式载体（LDCC）。PLCC，Cerquad，LLCC和LDCC都是四周排列类封装， 其引线排列在封装的所有四边。第三阶段：上世纪90 年代， 随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI，vLSI，uLSI相继出现， 对集成电路封装要求更加严格，i/o引脚数急剧增加， 功耗也随之增大， 因此， 集成电路封装从四边引线型向平面阵列型发展，出现了球栅阵列封装（BGA），并很快成为主流产品。
二、新型微电子封装技术
（一）焊球阵列封装（BGA）
阵列封装（BGA）是世界上九十年代初发展起来的一种新型封装。BGA封装的i/o端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是：i/o引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
这种BGA的突出的优点：1.电性能更好：BGA用焊球代替引线，引出路径短，减少了引脚延迟、电阻、电容和电感；2.封装密度更高；由于焊球是整个平面排列，因此对于同样面积，引脚数更高。例如边长为31mm的BGA，当焊球节距为1mm时有900只引脚，相比之下，边长为32mm，引脚节距为0.5mm的qfp只有208只引脚；3.BGA的节距为1.5mm、1.27mm、1.0mm、0.8mm、0.65mm和0.5mm，与现有的表面安装工艺和设备完全相容，安装更可靠；4.由于焊料熔化时的表面张力具有 “自对准”效应，避免了传统封装引线变形的损失，大大提高了组装成品率；5.BGA引脚牢固，转运方便；6.焊球引出形式同样适用于多芯片组件和系统封装。因此，BGA得到爆炸性的发展。BGA因基板材料不同而有塑料焊球阵列封装（pBGA），陶瓷焊球阵列封装（cBGA），载带焊球阵列封装（tBGA），带散热器焊球阵列封装（eBGA），金属焊球阵列封装（mBGA），还有倒装芯片焊球阵列封装（fcBGA）。PQFP可应用于表面安装，这是它的主要优点。
（二）芯片尺寸封装（CSP）
CSP（chip scale package）封装，是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP封CSP封装装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于tSOp内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。
芯片尺寸封装（CSP）和BGA是同一时代的产物，是整机小型化、便携化的结果。LSI芯片封装面积小于或等于LSI芯片面积120%的封装称为CSP。由于许多CSP采用BGA的形式，所以最近两年封装界权威人士认为，焊球节距大于等于lmm的为BGA，小于lmm的为CSP。由于CSP具有更突出的优点：1.近似芯片尺寸的超小型封装；2.保护裸芯片；3.电、热性优良；4.封装密度高；5.便于测试和老化；6.便于焊接、安装和修整更换。
一般地CSP，都是将圆片切割成单个IC芯片后再实施后道封装的，而wlCSP则不同，它的全部或大部分工艺步骤是在已完成前工序的硅圆片上完成的，最a后将圆片直接切割成分离的独立器件。CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升。CSP技术是在电子产品的更新换代时提出来的，它的目的是在使用大芯片（芯片功能更多，性能更好，芯片更复杂）替代以前的小芯片时，其封装体占用印刷板的面积保持不变或更小。
wlCSP所涉及的关键技术除了前工序所必须的金属淀积技术、光刻技术、蚀刻技术等以外，还包括重新布线（RDL）技术和凸点制作技术。通常芯片上的引出端焊盘是排到在管芯周边的方形铝层，为了使WLP适应了SMt二级封装较宽的焊盘节距，需将这些焊盘重新分布，使这些焊盘由芯片周边排列改为芯片有源面上阵列排布，这就需要重新布线（RDL）技术。
三、微电子封装技术的发展趋势
微电子封装技术是90年代以来在半导体集成电路技术、混合集成电路技术和表面组装技术（SMt）的基础上发展起来的新一代电子组装技术。多芯片组件（MCM）就是当前微组装技术的代表产品。它将多个集成电路芯片和其他片式元器件组装在一块高密度多层互连基板上，然后封装在外壳内，是电路组件功能实现系统级的基础。CSP的出现解决了KGD问题，CSP不但具有裸芯片的优点，还可象普通芯片一样进行测试老化筛选，使MCM 的成品率才有保证，大大促进了MCM的发展和推广应用。目前MCM已经成功地用于大型通用计算机和超级巨型机中，今后将用于工作站、个人计算机、医用电子设备和汽车电子设备等领域。
四、结束语
从以上介绍可以看出，微电子封装，特别是BGA、CSP、SIP、3D、MCM 等先进封装对SMt的影响是积极的，当前更有利于SMt的发展，将来也会随着基板技术的提高，新工艺、新材料、新技术、新方法的不断出现，促进SMt向更高水平发展。