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利用微磁学方法系统研究了纳米尺度的NiFe薄膜菱形单元的自发磁化状态及剩磁状态。研究结果表明，在不同的尺寸下，菱形单元将有不同的自发磁化状态及剩磁状态。在单元的长宽尺寸小于某个临界尺寸时．菱形单元结构呈现单畴态。同时还分析了菱形NiFe单元作为磁性随机存储器（MRAM）存储单元时的要求。
菱形NiFe薄膜单元的自发磁化及剩磁状态的研究
【摘 要】
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利用微磁学方法系统研究了纳米尺度的NiFe薄膜菱形单元的自发磁化状态及剩磁状态。研究结果表明，在不同的尺寸下，菱形单元将有不同的自发磁化状态及剩磁状态。在单元的长宽尺寸
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2007年1期
【基金项目】
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国家重大基础研究与发展项目（No.51310）
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