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SiC在电源转换器的尺寸、重量和/或能效等方面具有优势.当然,要进行大批量生产,逆变器除了静态和动态性能之外,还必须具备适当的可靠性,以及足够的阈值电压和以应用为导向的短路耐受能力等.可与IGBT兼容的VGS=15V导通驱动电压,以便从IGBT轻松改用SiC MOSFET解决方案.英飞凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可满足这些要求.