【摘 要】
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为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅（SiNx）薄膜的方法,采用NH3等离子体氮化、SiH4/NH3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制备了三种SiNx薄膜,研究比较了三种薄膜的性
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为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅（SiNx）薄膜的方法,采用NH3等离子体氮化、SiH4/NH3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制备了三种SiNx薄膜,研究比较了三种薄膜的性质。用X射线光电子谱检测了NH3等离子体氮化Si片得到的SiNx薄膜的组分,利用椭圆偏振光谱仪测量薄膜厚度,估算了氮化速率。用NH3和SiH4作为反应气,分别在原始硅片和经过NH3预氮化后的硅片上淀积厚度为5 nm、10 nm和50 nm的SiNx薄膜。用电容-电压法研究了薄膜样品的电学性质,发现单纯用NH3等离子体氮化的薄膜不适合做介质膜,而先用NH3氮化再淀积SiNx的样品比直接淀积SiNx的样品界面性能明显改善,界面态密度降低到1～2×1011eV-1 cm-2。
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