基于CuxSiyO阻变材料的RRAM抗总剂量辐照性能

来源 :第四届复旦大学博士生学术论坛——信息科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：YT479102771

【摘要】

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研究了基于Cux SiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60Co释放出的y射线模拟空间辐照环境.在辐照总剂量达到3000Gy的条件下

【作者】

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朱伟简文翔薛晓勇林殷茵

【机构】

：

复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海201203

【出处】

：

第四届复旦大学博士生学术论坛——信息科学与技术

【发表日期】

：

2012年10期

【关键词】

：

阻变式随机存储器抗总剂量辐照性能阻变材料

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研究了基于Cux SiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60Co释放出的y射线模拟空间辐照环境.在辐照总剂量达到3000Gy的条件下,单元仍然可以保持原有的存储信息,高低阻态的阻值、写电压、良率等性能几乎没有任何衰减.良好的辐照特性使得RRAM有望在抗辐射领域中得到广泛应用.

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