长波InAs/GaSb II类超晶格红外探测器

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:johntoo
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报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSbII类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超品格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(I—V)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz1/
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