射频磁控溅射制备SiO2膜

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利用石英靶射频磁控溅射制备SiO2膜的工艺,采用L型阻抗匹配网络,并计算得到了等离子体的等效电容及等效电导。指出射频功率密度是最重要的沉积参数,靶面自偏压及SiO2膜沉积速度均随功率密度的增加而线性增加。
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