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Cu3N薄膜的晶面取向、沉积速率、电学特性等性质除与制备方法有关外，还和制备工艺参数有很大关系。溅射法制备Cu3N薄膜工艺参数主要有，混合气体（N2＋At）中氮气分压比r、基底温度T（℃）、溅射功率P（w）。为了研究CusN薄膜的性能与其制备工艺参数之间关系，本文采用反应射频磁控溅射法，在玻璃基底上成功制备了Cu3N薄膜，并研究了工艺参数对其晶面取向、膜厚、电学性能、沉积速率的影响。