【摘 要】
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设计了一种基于BCD工艺的宽压-宽温电流基准电路.利用片上多晶硅电阻的温度系数受工艺影响较小的特点,选定其为基准电流定义单元.分析片上电阻温度特性,并设计与其温度系数相
【机 构】
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集成电路与微系统设计航空科技重点实验室,西安710065;中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所,西安710065
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设计了一种基于BCD工艺的宽压-宽温电流基准电路.利用片上多晶硅电阻的温度系数受工艺影响较小的特点,选定其为基准电流定义单元.分析片上电阻温度特性,并设计与其温度系数相等的参考电压,加载到电阻上,从而实现了温度系数很低的基准电流.分析了高温下三极管寄生元件漏电现象,通过添加补偿管,提高了基准电流在高温下的稳定性.电流基准基于0.35 μm BCD工艺设计.仿真结果表明,在6.5～36 V电源电压、-55℃～125℃内,输出电流为250 μA,温度系数为9.3×10-6/℃,受电源变化导致的电流变化量小于62 nA.
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