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以Ti、Si和石墨粉为原料，以少量的灿为反应助荆，用反应热压（船）工艺在1450℃和25MPa下2h制得纯度为97％、相对密度为98．45％、粒度为5～10μm的Ti3SiC2多晶块体．其弯曲强度为407MPa、室温电阻率为0．22×10^-6Ω·m、维氏硬度为3．97GPa．与Barsoum和Ei—Raghy在1600℃和40MPa下烧结4h获得的样品相比，本样品显示了较低的弯曲强度，基本相同的纯度、电阻率和硬度．